HBM تستحوذ على حصة أكبر
يُتوقع أن تستحوذ الذاكرة عالية النطاق الترددي على ما يقرب من 30% من إجمالي طاقة رقائق مصنّعي DRAM في 2027، ارتفاعاً من نحو 20% حالياً، مع تحويل الموردين خطوطهم نحو الرقائق المستخدمة في مسرّعات الذكاء الاصطناعي. وتسرّع سامسونغ طاقة ذاكرة جديدة مع بقاء كل من HBM وDRAM التقليدية في حالة شح. وقالت SK Hynix في 28 سبتمبر إنها صادقت على ذاكرتها HBM5 مع تغليف CoWoS من TSMC، حتى مع بدء إدماج HBM4 للتو في منصة إنفيديا التالية.
الأسعار تتسرب إلى الاقتصاد الأوسع
يظهر الضغط في بيانات التجارة. فقد شكلت الرقائق ما يقرب من نصف صادرات كوريا الجنوبية في سبتمبر، واستحوذت الصين وهونغ كونغ على 52% من تلك الشحنات. ويتعرض موردو المكونات لضغط مع ارتفاع أسعار الذاكرة، إذ يطلب مصنّعو السلع النهائية تخفيضات سعرية بنسبة 10% إلى 20% اعتباراً من الربع الثالث من 2026 بينما يقدم المنافسون الصينيون عروضاً أقل بنسبة 20% إلى 30%.
وقد جمع محللو مورغان ستانلي هذه الزيادة تحت مسمى "تضخم الرقائق"، محتجين بأنها أصبحت شأناً اقتصادياً كلياً وليس مجرد قصة تقنية. وتصل تكاليف الذاكرة الأعلى في النهاية إلى الحواسيب المحمولة والهواتف والخوادم والسيارات، حيث يستمر محتوى الذاكرة لكل وحدة في النمو.
الاستثمار يتبع النقص
تخطط شركة تشانغشين لتقنيات الذاكرة الصينية لإنفاق 34.9 مليار يوان، أي نحو 5.2 مليار دولار، على البحث وطاقة اختبار DRAM الخلفية الإضافية. وأعادت سامسونغ ترتيب خارطة طريق DRAM لديها، ناقلة تقنية الربط الهجين من رقاقة إلى رقاقة B1b إلى مركز أول جيل لها من DRAM دون 10 نانومتر. وأطلقت ميكرون صندوقاً استثمارياً بقيمة 250 مليون دولار إلى جانب أكثر من 25 مليار دولار من النفقات الرأسمالية في السنة المالية 2026، وتدرس وحدة سوليدايغ التابعة لـ SK Hynix إدراجاً أمريكياً تُقدَّر قيمته بما يصل إلى 150 مليار دولار.
ويتوقع المحللون أن يبقى العرض شحيحاً حتى 2027 بينما ينمو طلب مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي. ويتمثل الخطر في أن يصل الإنفاق الكثيف على مصانع جديدة في الوقت الذي يبرد فيه الطلب، مكرراً دورة يعرفها قطاع الذاكرة جيداً.
---وصلة تغذية دوارة فراغية بالموائع المغناطيسية موثوقة لتصنيع أشباه الموصلات
في تصنيع أشباه الموصلات، يعد الحفاظ على سلامة الفراغ الفائق أثناء الحركة الدورانية أمرًا بالغ الأهمية — من نمو السيليكون أحادي البلورة وCVD إلى الترذيذ والحفر بالبلازما. توفر Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough من FerrofluidTec وصلات تغذية دوارة محكمة الإغلاق بمعدلات تسرب تصل إلى 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹، ودرجة فراغ تصل إلى 10⁻⁶ Pa، وأقطار عمود قابلة للتخصيص من 10mm إلى 100mm. مصنوعة من أغلفة من الفولاذ المقاوم للصدأ غير المغناطيسي وأعمدة من الفولاذ المقاوم للصدأ ذات النفاذية المغناطيسية، توفر هذه الوصلات إغلاقًا موثوقًا وخاليًا من الصيانة لبيئات الفراغ الصعبة. قم بزيارة www.ferrofluidtec.com لمعرفة المزيد.