أسعار العقود لا تزال ترتفع
قد يكون الجزء الأشد من موجة ارتفاع أسعار الذاكرة قد انتهى، لكن الصعود مستمر. وفي أحدث مسح تسعيري لها، توقعت تريند فورس ارتفاع أسعار عقود DRAM التقليدية 13% إلى 18% على أساس ربع سنوي في الربع الثالث من 2026، مع صعود عقود NAND Flash 10% إلى 15%. وهذا تباطؤ عن وقت سابق من العام، لا انعكاس. وفي السوق الفورية، ارتفعت رقائق DDR4 السائدة ارتفاعاً طفيفاً من 45.79 إلى 46.04 دولاراً بين 16 و22 سبتمبر، بينما ظل تداول DDR5 حذراً.
وتتصرف ذاكرة الخوادم بشكل مختلف عن كل شيء آخر. فاتفاقات التوريد طويلة الأجل بين المشترين الكبار ومصنّعي الذاكرة تكبح الأسعار بهدوء لـ DRAM الخوادم عالية الحجم، ولهذا تظهر أعلى الزيادات الآن في مكونات المستهلك لا في عقود مراكز البيانات.
من يدفع: الحواسيب المحمولة والهواتف
لا يزال مصنّعو الحواسيب المحمولة يعيدون تكوين مخزوناتهم، لكن تكاليف الذاكرة الأعلى تتسرب إلى أسعار التجزئة، وهو اتجاه تتوقع تريند فورس أن يثقل على شحنات الحواسيب الشخصية لبقية العام. ويواجه مصنّعو الهواتف الذكية الضغط نفسه في موضع أسوأ، لأن الذاكرة تستحوذ على حصة أكبر من تكلفة العتاد في الهاتف الميسور. وكثيرون منهم يرفعون الأسعار ويصبحون أكثر حذراً بشأن خطط الإنتاج.
وقد وضعت توقعات غارتنر من فبراير أرقاماً على الضرر: ارتفاع بنسبة 130% في أسعار DRAM وأقراص الحالة الصلبة مجتمعة بحلول نهاية 2026، ما يترجم إلى أسعار حواسيب شخصية أعلى بنسبة 17% وأسعار هواتف ذكية أعلى بنسبة 13% من 2025، مع انخفاض شحنات الحواسيب الشخصية عالمياً 10.4% وشحنات الهواتف الذكية 8.4%. ويُتوقع أن يغادر المشترون في الفئة المبتدئة السوق أسرع بخمس مرات من مشتري الفئة المتميزة.
إلى أين تذهب الطاقة الإنتاجية
السبب ليس نقصاً في المصانع بل تغيراً في ما تبنيه. فمسرّعات الذكاء الاصطناعي تحتاج ذاكرة عالية النطاق الترددي، وإلى هناك تُوجَّه الرقائق ورأس المال. وقد بدأت سامسونغ شحن حزم HBM4E ذات الثماني طبقات إلى إنفيديا، وارتفعت مردودات HBM4 نحو 80% قبل منصة Rubin من إنفيديا، وتخطط SK hynix لمضاعفة طاقة الرقائق خلال خمس سنوات بإنفاق رأسمالي لعام 2026 يتجاوز 30 تريليون وون. وخلص محللون مرتبطون بالبنك المركزي الكوري الجنوبي هذا الشهر إلى أن تفوق البلاد على الصين في إنتاج الذاكرة مرجّح أن يتسع. ومشترو ذاكرة المستهلك ببساطة في آخر ذلك الطابور.
---
وصلة تغذية دوارة فراغية بالموائع المغناطيسية موثوقة لتصنيع أشباه الموصلات
في تصنيع أشباه الموصلات، يعد الحفاظ على سلامة الفراغ الفائق أثناء الحركة الدورانية أمرًا بالغ الأهمية — من نمو السيليكون أحادي البلورة وCVD إلى الترذيذ والحفر بالبلازما. توفر Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough من FerrofluidTec وصلات تغذية دوارة محكمة الإغلاق بمعدلات تسرب تصل إلى 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹، ودرجة فراغ تصل إلى 10⁻⁶ Pa، وأقطار عمود قابلة للتخصيص من 10mm إلى 100mm. مصنوعة من أغلفة من الفولاذ المقاوم للصدأ غير المغناطيسي وأعمدة من الفولاذ المقاوم للصدأ ذات النفاذية المغناطيسية، توفر هذه الوصلات إغلاقًا موثوقًا وخاليًا من الصيانة لبيئات الفراغ الصعبة. قم بزيارة www.ferrofluidtec.com لمعرفة المزيد.