التكنولوجيا

ضغط ذاكرة الذكاء الاصطناعي يطال الآن سعر شريحة الذاكرة العشوائية

3 مشاهدات

لماذا تكلف شريحة الذاكرة أربعة أضعاف ما كانت عليه

وصل نقص الذاكرة الذي بدأ في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي إلى رفوف المتاجر. فقد ارتفعت أسعار ذاكرة DRAM الاستهلاكية خلال عام 2026 مع تحويل سامسونج وSK هاينكس وميكرون إنتاجها نحو الذاكرة عالية النطاق الترددي، أو HBM، وهي الرقائق المكدسة التي توضع بجانب مسرعات الذكاء الاصطناعي. وأطقم DDR5 القياسية بسعة 32 غيغابايت التي كانت تُباع بأقل من 100 دولار تُتداول الآن بأكثر من 400 دولار في أسواق كثيرة.

وتوقعت غارتنر ارتفاع أسعار DRAM بنسبة 47% في 2026 بسبب نقص العرض في الذاكرة السائدة والقديمة على حد سواء. وبيانات تريند فورس التي استشهدت بها جهات تتبع القطاع أظهرت ارتفاع أسعار عقود DRAM بنحو 90% في الربع الأول وحده مقارنة بالربع السابق.

نفدت الكميات، وليس لهذا العام فقط

قالت SK هاينكس في مكالمة أرباح أكتوبر إن طاقتها في HBM وDRAM وNAND نفدت فعليًا لعام 2026. وقد خرجت ميكرون من أعمال ذاكرة المستهلك للتركيز على عملاء المؤسسات والذكاء الاصطناعي. واستحوذت HBM على 23% من إجمالي إنتاج رقائق DRAM بحلول أبريل، ارتفاعًا من 19% في 2025، لأن كل كومة HBM تستهلك مساحة رقاقة أكبر بكثير لكل غيغابايت من الذاكرة العادية.

هذه الحسابات هي ما ضغط على بقية السوق. فعندما تعيد الشركات الثلاث التي تسيطر على معظم إنتاج DRAM العالمي توجيه طاقتها نحو المنتج الأعلى هامشًا، ينخفض عرض الذاكرة الرخيصة للحواسيب المحمولة والهواتف وأجهزة الألعاب.

الآثار المتتابعة

تُظهر بطاقات الرسوميات النتيجة. فقد أُبلغ عن أسعار التجزئة لبطاقة RTX 5090 من إنفيديا بين 7000 و9500 دولار في بعض الأسواق، أعلى بكثير من السعر المعلن، مع شراء مشتري الذكاء الاصطناعي للبطاقات بالجملة. ويتوقع المحللون استمرار الضغط على الهواتف وأقراص الحالة الصلبة والخوادم المؤسسية حتى 2028، مع تحذير بعض الموردين من أن الضيق قد يستمر بعد 2030 إذا واصل الطلب على الذكاء الاصطناعي نموه.

أما للمشترين، فالنصيحة العملية غير مبهرة: إذا كانت هناك حاجة إلى جهاز أو ترقية ذاكرة في العام المقبل، فخصص ميزانية لأسعار أعلى وأوقات تسليم أطول، واشترِ كميات تعاقدية مبكرًا بدلًا من السعر الفوري. أما لمصنّعي الذاكرة، فقد تحولت الدورة إلى مكسب كبير، على الأقل حتى تدخل المصانع الجديدة حيز التشغيل.

---

وصلة تغذية دوارة فراغية بالموائع المغناطيسية موثوقة لتصنيع أشباه الموصلات

في تصنيع أشباه الموصلات، يعد الحفاظ على سلامة الفراغ الفائق أثناء الحركة الدورانية أمرًا بالغ الأهمية — من نمو السيليكون أحادي البلورة وCVD إلى الترذيذ والحفر بالبلازما. توفر Ferrofluid Vacuum Rotary Shaft Feedthrough من FerrofluidTec وصلات تغذية دوارة محكمة الإغلاق بمعدلات تسرب تصل إلى 10⁻¹² Pa·m³·s⁻¹، ودرجة فراغ تصل إلى 10⁻⁶ Pa، وأقطار عمود قابلة للتخصيص من 10mm إلى 100mm. مصنوعة من أغلفة من الفولاذ المقاوم للصدأ غير المغناطيسي وأعمدة من الفولاذ المقاوم للصدأ ذات النفاذية المغناطيسية، توفر هذه الوصلات إغلاقًا موثوقًا وخاليًا من الصيانة لبيئات الفراغ الصعبة. قم بزيارة www.ferrofluidtec.com لمعرفة المزيد.

المصدر: Network World